تقویت کننده کم نویز 10.6-3.1 گیگاهرتز با فیدبک مقاومتی در تکنولوژی 0.18µm cmos
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
- نویسنده مهری امامی نیگجه
- استاد راهنما ماهرخ مقصودی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
مطالب گفته شده در این پایان نامه بر مبنای طراحی، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده کم نویز cmos فراپهن باند است. چالش¬های جدی در پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهم¬ترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند استکه بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیت و گزینندگی سیستم را تحت تأثیر قرار می دهد و معمولاً اولین بلوک فعال گیرنده بعد از آنتن است. تقویت کننده کم نویز سیگنالهای ورودی را به گونه ای تقویت می کند که نویز تولید شده به وسیله بلوکهای بعدی کمترین تأثیر را بر روی نسبت سیگنال به نویز (snr) سیستم داشته باشد.بنابراین باید دارای پهنای باند بالا، بهره بالا و هموار، نویز فیگر پایین، تطبیق امپدانس مناسب و مصرف توان پایین باشد. با توجه به گسترش روزافزون سیستم¬های فراپهن باند، بهینه سازی سیستم¬های فوق امری ضروری می¬باشد. در این پایان نامه جزییات طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با فیدبک مقاومتی در فناوری µm cmos0.18 ارائه می¬شود. هدف ما طراحی تقویت کننده کم نویزی است که دارای عملکرد مطلوب بوده و مشخصات مد نظرمان شامل تطبیق امپدانس ورودی خوبdb10-?11s،نویز کمdb5nf?، بهره هموارdb10?21sومصرف توان پایین را تامین نماید.پارامتر¬های بیان شده بهم مربوط بوده و در طراحیtrade off بین آنها وجود دارد. رسیدن به بهره بهینه و منطقی در اولویت طراحی ما قرار دارد. هسته اصلی طراحی،یک تقویت کننده کم نویز سورس مشترک است که به علت تطبیق امپدانس خوب و نویز قابل قبول،یک توپولوژی مطرح در کاربردهای باند باریک است.مدار پیشنهادی تقویت کننده کم نویز ترکیبی از تکنیکهای فیدبک مقاومتیinductive shunt peakingو شبکه تطبیق نردبانیlc است که همزمان دارای مشخصه تطبیق امپدانس ورودی مطلوب در محدوده وسیع فرکانسی و نویز پایین و بهره هموار و بالا در محدوده فرکانسیghz10.6-3.1است.
منابع مشابه
یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل
تقویتکننده کمنویز یکی از مهمترین بلوکهای به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب میشود. در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز پهنباند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویتکننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...
متن کاملافزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده های کم نویز در تکنولوژی 0.13 میکرومتر cmos
در مدارات فرکانس رادیویی، تقویت کننده کم نویز اولین بلوک فعال تقویت کننده در مسیر سیگنال دریافتی می باشد. در حقیقت عملکرد گیرنده فرکانس رادیویی بسیار تحت تاثیر تقویت کننده کم نویز می باشد. وجود تقویت کننده کم نویز به عنوان اولین بلوک در مسیر گیرنده نقش اساسی در تقویت سیگنال دریافتی با افزودن کمترین مقدار نویز را دارا می باشد. علاوه بر این ورودی تقویت کننده کم نویز باید با خروجی فیلتر بعد از آنت...
طراحی یک تقویت کننده کم نویز با باند بسیار وسیع با حداکثر بهره تخت در محدوده 3,1-10,6 گیگاهرتز با تکنولوژی cmos
در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...
15 صفحه اولطراحی یک تقویت کننده فراپهن باند کم نویز با تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی در تکنولوژی 0.18 µm cmos
تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع با...
تقویت کننده لگاریتمی کم مصرف و کم نویز برای کاربرد ضبط سیگنال های زیست-پتانسیل
چکیده: در این مقاله یک تقویتکننده لگاریتمی کممصرف با نویز پایین، برای استفاده در بخش جلویی میکروسیستمهای ضبط سیگنالهای زیست-پتانسیل، ارائه شده است. بهمنظور جلوگیری از افزایش دمای بافت و تخریب آن در حـوالی الـمان کاشتـهشده، عملکرد کممصرف در سیستمهای ثبت سیگنال عصبی، بسیار حیاتی و مهم است. مشخصه لگاریتمی با استفاده از تقریبهای تکهای-خطی محقق شده و از ساختار جمع موازی برای پیادهسازی تقو...
متن کاملطراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023